IRF200B211
制造厂商:IR(International Rectifier,国际整流器公司)
类别封装:FET - 单,TO-220-3
技术参数:MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
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参数详情:
制造商产品型号: IRF200B211制造厂家名称:IR(International Rectifier,国际整流器公司,已被英飞凌INFINEON收购)功能总体简述: MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB系列: HEXFET,StrongIRFETFET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压(Vdss): 200V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 12A(Tc)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 170 毫欧 @ 7.2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 50μA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 23nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 790pF @ 50V功率 - 最大值: 80W安装类型: 通孔产品封装: TO-220-3供应商器件封装: TO-220ABIRF200B211的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。