IRF7341GTRPBF
制造厂商：IR（International Rectifier，国际整流器公司）
类别封装：FET - 单，8-SOIC
技术参数：MOSFET N-CH 55V 5.1A
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参数详情：
制造商产品型号: IRF7341GTRPBF制造厂家名称：IR（International Rectifier，国际整流器公司，已被英飞凌INFINEON收购）功能总体简述: MOSFET N-CH 55V 5.1A系列: HEXFETFET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 55V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 50 毫欧 @ 5.1A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 44nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 780pF @ 25V功率 - 最大值: 2.4W安装类型: 表面贴装产品封装: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装: 8-SOIRF7341GTRPBF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
